�A比抵抗は、２０〜３８０Ωｍを示し、全体的な傾向として深度の浅い部分（ＧＬ−８〜７３ｍ、標高３２．３８〜−３２．６２ｍ）は高く、深度の深い部分（ＧＬ−７３〜１５０ｍ、標高−３２．６２〜−１０９．６２ｍ）は低い。

�B比抵抗はＧＬ−１１５ｍ（標高−７４．６２ｍ）以深では２０Ωｍ程度のほぼ一定した低い値を示し、上部のＧＬ−８〜６２ｍ（標高３２．３８〜−２１．６２ｍ）では２００〜３００Ωｍ程度の高い値を示す。ＧＬ−６２〜１１５ｍ（標高−２１．６２〜−７４．６２ｍ）では比抵抗の高い部分と低い部分が交互に分布するが、ＧＬ−７４〜８３ｍ（標高−３３．６２〜−４２．６２ｍ）では２０〜３０Ωｍのほぼ一定した低い値を示す。

図２−５−３−１電気検層結果

図２−５−３−２電気検層結果

図２−５−３−３電気検層結果

図２−５−３−４電気検層結果

表３−５−３　孔内水位観測記録